格隆汇5月8日丨富特科技(301607.SZ)在投资者关系表示 ，公司基于第三代宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）的高耐温特性、高阻断电压 、高开关速度和低损耗等特性 ，自主研发了基于第三代宽禁带半导体器件的拓扑应用技术，在电路拓扑层级进行升级优化 ，简化电路结构设计并提高开关频率 ，显著提升产品的功率密度，同时电路设计优化也减少了元器件数量 ，从而达到降本和提升产品质量可靠性的目的 。截至目前 ，公司多个量产项目已经应用第三代宽禁带半导体器件，与此同时，公司也在积极开展第三代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）的应用研究 ，开发进展会在后续的定期报告中适时披露 。
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